英飛凌(Infineon)是全球領先的半導體科技公司，致力于打造一個更加便利、安全和環保的世界。我們提供全面的半導體解決方案，實現高效的能源管理、智能出行以及安全、無縫通信，連接現實與數字世界。   

•         2022財年營收：超過140億歐元

•         全球員工人數約為56,200人（截至2022年9月）

•         英飛凌的業務遍及全球，在全球共有56家研發機構和20家生產工廠。

•         賽普拉斯(Cypress)于2019年6月被英飛凌斥資90億歐元(約合101億美元)收購，2020年正式并入英飛凌科技公司。

F-RAM產品介紹

高可靠性，低功耗數據記錄存儲器

F-RAM(鐵電隨機存取存儲器或FeRAM)是一種獨立的非易失性存儲器，使您能夠在電源中斷時立即捕獲和保存關鍵數據。它們是關鍵任務數據記錄應用的理想選擇，如需要高可靠性控制和吞吐量的高性能可編程邏輯控制器(PLC)，或提高患者生活質量的監測設備。f - ram采用低功率、占地面積小的設計，在不影響速度或能源效率的情況下，提供即時的非波動性和幾乎無限的續航能力。

密度:4Kb、16Kb、64Kb、128Kb、256Kb、512Kb、1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb

接口:I2C, SPI, QSPI，并口(x8, x16)

關鍵特性

-NoDelay?寫入-以總線速度寫入數據到內存單元，沒有浸泡時間

-高耐力-超過浮動門內存超過100萬億寫入周期

-超低功耗-比eeprom少消耗200倍的能量，比NOR閃存少3000倍的能量

-耐輻射-對由可能產生位翻轉的輻射引起的軟錯誤免疫

F-RAM家庭

英飛凌提供全面的串行和并行F-RAM非易失性存儲器組合。我們的標準F-RAM的密度范圍從4kbit到4Mbit。Excelon?是英飛凌的下一代FRAM存儲器。Excelon?F-RAM提供了業界最低功耗的非易失性存儲器，通過將超低功耗操作與高速接口、即時非易失性和無限讀/寫周期耐力相結合，使其成為便攜式醫療、可穿戴設備、物聯網傳感器、工業和汽車應用的理想數據記錄存儲器。它們的密度從2mbit到16mbit不等，除了1.8V到3.6V寬電壓范圍外，還支持1.71V到1.89V的工作電壓范圍。

F-RAM技術和優點

F-RAM存儲器基于鐵電技術。F-RAM芯片包含一層鋯鈦酸鉛鐵電薄膜，通常稱為PZT。PZT中的原子在電場中改變極性，從而產生功率高效的二進制開關。然而，PZT最重要的方面是它不受電源中斷的影響，使F-RAM成為可靠的非易失性存儲器。F-RAM的底層工作原理及其獨特的存儲單元架構賦予了該技術與EEPROM或NOR閃存等競爭內存技術不同的特定優勢。

F-RAM與競爭的非易失性存儲器解決方案

F-RAM產品是業界最低功率的非易失性存儲解決方案之一，與競爭對手EEPROM和MRAM解決方案相比，消耗的有源電流要小得多。這使得FRAM適用于電池驅動的設備，如可穿戴設備和醫療植入物。幾乎無限的續航能力和瞬間的非易失性確保了FRAM在多個數據記錄應用程序中優于現有的EEPROM和NOR Flash等存儲器。

Infineon FRAM產品選型：F-RAM (Ferroelectric RAM) - Infineon Technologies

Infineon FRAM產品官網：Memories - Infineon Technologies