富士通是日本排名第一的IT廠商，全球第四大IT服務公司，全球前五大服務器和PC機生產商，曾經是世界第二大企業用硬盤驅動器的制造商（硬盤業務于2009年第一季度轉移到東芝公司旗下）和第四大移動硬盤制造商，是世界財富500強企業。富士通擁有32,000個產品專利技術，名列美國2005年擁有專利最多的前十位。在Dow Jones Sustainability Indexes 和 FTSE4 Good Index Series指數中表現卓著，2008年富士通連續第十次在道瓊斯 Sustainability Indexs 股指中表現卓越。2013年富士通被美國《財富》雜志評為世界“最受尊敬企業”。
富士通半導體存儲器解決方案有限公司(FSM)隸屬于富士通器件方案事業部大規模集成電路部門，主要開發銷售系統存儲和解決方案，包含FeRAM（FRAM），電阻RAM（ReRAM），碳納米管的非易失RAM（NRAM）。其中FeRAM分車規級、工業級，常用于汽車，儀表，無電池應用，RFID等場景。
電源關閉時存儲的數據不會消失
下電時不需要備用電池來保留數據
啟用無需擦除操作即可覆蓋數據
無需等待時間進行擦除/寫入操作
保證10萬億 (1013) 讀/寫周期
是EEPROM讀寫耐久性的1000萬倍
沒有用于寫操作的升壓電路
比EEPROM減少92％的寫入功耗
沒有為保持數據而需要的數據保持電流
如果您的產品正在使用EEPROM或SRAM，并有下列其中一的任何問題，請考慮使用我們的FeRAM作為您的解決方案。請參考下面顯示的FeRAM與其他存儲器之間的比較。
| FeRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | |
|---|---|---|---|---|
| 記憶類型 | 非易失性 | 非易失性 | 非易失性 | 易失性 |
| 數據寫入方法 | 覆蓋式寫入 | 擦除+寫入 | 擦除+寫入 | 覆蓋式寫入 |
| 數據寫入周期時間 | 120ns | 5ms | 10μs | 55ns |
| 讀寫耐久性 | 100萬億次 | 100萬次 | 10萬次 | 無限次 |
| 電荷泵 (升壓) 電路 | 無需 | 需要 | 需要 | 無需 |
| 數據保護后備電池 | 無需 | 無需 | 無需 | 需要 |
與傳統的非易失性存儲器 (如EEPROM和閃存) 相比，FeRAM具有更快的寫入速度，更高的耐久性和更低的功耗等優點。采用FeRAM代替EEPROM和閃存具有以下優勢。
由于快速的寫入速度，即使在突然停電的情況下，FeRAM可以保存寫入數據。不僅如此，FeRAM可記錄數據比EEPROM和閃存更頻繁。寫入數據時，EEPROM和閃存需要高電壓，從而比FeRAM消耗更多的功率。因此，通過使用FeRAM，在電池供電的小型設備中的電池壽命可以延長。
總之，FeRAM是;
在突然停電時FeRAM可以保存寫入數據
可以進行頻繁的數據記錄
可以延長電池供電設備的電池壽命
在工廠中將參數寫入每個產品的情況下，由于FeRAM與EEPROM和閃存相比可以縮短寫入時間，因此FeRAM可以有助于降低制造成本。此外，FeRAM可以為您提供單一芯片解決方案，從而代替多芯片解決方案，例如，由EEPROM + Flash組成的兩個芯片方案，或由EEPROM + SRAM +電池組成的三個器件方案。
縮短在每個產品中寫入參數的總時間
減少最終產品中使用的元器件數量
具有并行接口的FeRAM與電池備用SRAM兼容，可以替代SRAM。通過用FeRAM代替SRAM，客戶可以期望以下優勢。
使用SRAM的系統需要持續檢查電池狀態。如果用FeRAM替換后，客戶可以從維護電池檢查的負擔中解放出來。此外，FeRAM不需要電池插座和防回流二極管，同時省去二者的安裝空間。
FeRAM的單一芯片解決方案可以減少空間和成本。
免維護：無需更換電池
設備小型化：可以減少最終產品的元器件數量
廢舊電池會成為工業廢料。通過用FeRAM替換SRAM +電池，可以減少備用電池。
減少電池處理
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